Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 3: Halbleiterlaser I
HL 3.2: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 10:45–11:00, BEY/81
Linienbreiten-Überhöhungsfaktor in InGaAs Quantenpunktverstärkern — •Stephan Schneider1, Paola Borri1, Wolfgang Langbein1, Ulrike Woggon1, Roman Sellin2, Dongxun Ouyang2 und Dieter Bimberg2 — 1Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund — 2Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, 10623 Berlin
Wir untersuchen den Linienbreiten-Überhöhungsfaktor α in elektrisch gepumpten Quantenpunktverstärkern (QPV) im Temperaturbereich von 10K bis 300K für verschiedene Injektionsstromstärken IB. Die QPV sind p-i-n Strukturen einer Länge von 0.5mm mit drei Lagen von In0.7Ga0.3As Quantenpunkten (QP) in der aktiven Zone. Zwei AlGaAs Schichten bilden zusammen mit einer 5µm breiten Gratstruktur einen Wellenleiter[1]. Eine phasensensitive Heterodynanordnung erlaubt es, sowohl die Feldamplitude als auch die Phase eines optischen Pulses (in Resonanz mit dem QP Grundzustand), welcher durch den QPV propagiert, in Abhängigkeit von IB zu messen. Mittels der Ableitungen des modalen Verstärkungsfaktors g und der Änderung des Brechungsindizes δn nach IB wird α = (−4π/λ)(∂ n /∂ g) berechnet[2]. Die resultierenden α variiren zwischen 0 und 1 für kleine IB und werden für große IB negativ. Die gemessene Temperaturabhängigkeit zeigt, daß die Besetzung von angeregten QP Zuständen und der Benetzungsschicht, welche bei ∼175K minimal ist, die Ursache für die negativen Werte von α ist.
[1] P. Borri et.al. IEEE J. Sel. Topics Q. El. (2002)(in press.)
[2] M. Osiński et.al. IEEE J. Quantum El. QE-23, 9 (1987)