Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 31: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 31.7: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 16:00–16:15, BEY/154
Quantenbauelemente auf schichtkompensierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen — •Dirk Kähler1, U. Kunze1, D. Reuter2 und A.D. Wieck2 — 1Institut für Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 151 / IC2, D-44780 Bochum — 2Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum
1D- und 0D Elektronensysteme werden im Allgemeinen durch lokale Verarmung eines 2D-Elektronengases hergestellt. Hier wird ein inverses Verfahren vorgestellt, bei dem ein Elektronensystem induziert wird. Der Schichtaufbau entspricht einem konventionellen n-Kanal MODFET mit einer zusätzlichen hoch p-dotierten Deckschicht, welche die Wirkung der n-dotierten Versorgungsschicht kompensiert, so dass der Kanal verarmt [1]. Durch eine Strukturierung dieser Kompensationsschicht mit einem Rasterkraftmikroskop können zweidimensionale Zuleitungsgebiete, Linien und Punkte mit einer um einige 100 mV erniedrigten Schwellenspannung simultan hergestellt werden [2]. Neben elektrischen Messungen an einem Einzelelektronentransistor und Quantenpunktkontakten verschiedener Länge werden Aharonov-Bohm-Ringe mit einem mittleren Durchmesser von 110 nm und 160 nm vorgestellt, die bei 1.5 K im senkrechten Magnetfeld Aharonov-Bohm-Oszillationen mit einer Periode von 480 mT bzw. 220 mT zeigen [3]. =0cm
[1] D. Reuter, D. Kähler, U. Kunze, A.D. Wieck, Semicond. Sci. Technol. 16, 603 (2001).
[2] D. Kähler, U. Kunze, D. Reuter, A.D. Wieck, Microelectronic Engineering 61-62, 619 (2002).
[3] D. Kähler, U. Kunze, D. Reuter, A.D. Wieck, Physica E (im Druck)