Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: II-VI Halbleiter I

HL 33.6: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 17:30–17:45, BEY/118

Einfluss von intrinsischen Defekten auf die Diffusion von Ag und Cu in CdTe — •F. Wagner, H. Wolf und Th. Wichert — Technische Physik, Universität des Saarlandes, D-66123 Saarbrücken

Die Diffusion von Silber und Kupfer in CdTe Einkristallen wurde mit den radioaktiven Tracern ¹¹¹Ag und ⁶⁷Cu untersucht. Die Proben wurden nach der Implantation bei 800 K unter Zugabe von Cd oder Te bzw. im Vakuum getempert. Die Temperzeit betrug zwischen 30 min und 4 h. Im Fall von ¹¹¹Ag zeigt sich, dass je nach Temperbedingungen unterhalb beider Oberflächen eine Verarmungszone im Ag Profil auftritt, deren Tiefe von ca. 80µm (Vakuum) bis 240µm (Cd-Atmosphäre) reicht. Tempern unter Te zeigt den gegenteiligen Effekt, d.h. es wird eine starke Anreicherung von Ag-Atomen im oberflächennahen Bereich beobachtet. ⁶⁷Cu zeigt nach Implantation und nachfolgendem Tempern unter Cd ein qualitativ ähnliches Verhalten, wenn auch die charakteristischen Merkmale des Cu Profils deutlich schwächer ausgeprägt sind als die des Ag Profils. Das beobachtete Verhalten der Ag und Cu Atome lässt sich qualitativ erklären, wenn man von einer hohen Beweglichkeit der interstitiellen Ag_i und Cu_i Atome ausgeht und annimmt, dass Ag_Cd (bzw.Cu_Cd)durch interstitielles Cd von seinem Gitterplatz verdrängt wird und Ag_i (bzw.Cu_i) sich nur über Cd-Leerstellen auf Gitterplätzen einbaut.

Gefördert durch die DFG, Projektnummer WI 715/7-1/7-3/7-4