Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 35.6: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 18:45–19:00, BEY/154

Optischer Nachweis des Ladens einzelner Elektronen in InAs-Quantenpunkte mit unterschiedlichem Rückkontakt — •B. Su, L. Karsten, A. Zhukov, C. Schüller, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Wir untersuchen selbstorganisiert gewachsene InAs-Quantenpunkte mittels Photolumineszenz- (PL) und Kapazitäts-Spektroskopie. Durch die Anwendung spezieller Rückkontakt-Elektroden können wir die Anzahl der Elektronen in den Quantenpunkten gezielt einstellen. Mittels PL-Spektroskopie untersuchen wir die Abhängigkeit des s-s-Übergangs in den Quantenpunkten von der Anzahl der Elektronen pro Quantenpunkt. Wir beobachten eine charakteristische Rotverschiebung der s-s-Rekombination wenn die s-Schale der Quantenpunkte mit Elektronen besetzt wird. Sobald jedoch die p-Schale beladen wird, zeigen die Proben mit verschiedenen Rückkontakt-Elektroden ein unterschiedliches Verhalten. In einem Probentyp bleibt das Signal rotverschoben während es in einem zweiten wieder blauverschiebt. Der Effekt kann durch einen unterschiedlichen Löchereinfang in beiden Probentypen erklärt werden.