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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 40.6: Talk
Thursday, March 27, 2003, 12:15–12:30, BEY/154
Querschnitts-Rastertunnelspektroskopie an Schottky-Kontakten — •T. C. G. Reusch, M. Wenderoth, L. Winking, J. Müller, N. Quaas und R. G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstrase 13, 37073 Göttingen
Die fundamentalen Mechanismen zur Ausbildung von Schottky-Barrieren und Fermi Level Pinning an Metall-Halbleiter-Grenzflächen sind seit langem Gegenstand intensiver Forschung [1]. Wir stellen Rastertunnelspektroskopie-Messungen an Au:GaAs(110)-Schottky-Kontakten in Querschnittsgeometrie vor. Dieses Verfahren ermöglicht eine Abbildung der Grenzfläche mit atomarer Auflösung und die Messung der lokalen Zustandsdichte. Sie liefert darüberhinaus aber auch Informationen über den Potentialverlauf in der Barriere in zwei Dimensionen. Wir finden eine geringe Defektdichte (<1×1013cm−2) und ausgedehnte Zustände in der Bandlücke im Bereich der Grenzfläche. Die räumlichen und energetischen Verteilungen lassen sich durch metall-induzierte Zustände beschreiben [2]. Defekte [3] beeinflussen als sekundärer Effekt die Zustandsdichte an der Grenzfläche, sind aber in zu geringer Dichte vorhanden, um das Fermi Level Pinning zu erlären.
[1] Raymond T. Tung, Mat. Sci. Eng R 35, 1(2001)
[2] V. Heine, Phys. Rev. 138, A1689(1965), J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465(1984)
[3] W. E. Spicer et al., J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245(1988)