Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.42: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Mustererkennungsverfahren zur Analyse von HRTEM Abbildungen komplexer Materialien — •Tore Niermann, Karsten Thiel und Michael Seibt — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen und Sonderforschungsbereich 602, Bunsenstr. 13-15, D-37073 Göttingen, Deutschland

Erreichen die Strukturen komplexer Materialien (Halbleiterbauelemente, Tunnelbarrieren, ...) atomare Ausmaße, werden ihre physikalischen Eigenschaften zunehmend von den Grenzflächen bestimmt. Kenntnis über die Topologie und Zusammensetzung von vergrabenen Grenzflächen können auf atomarer Skala mittels hochaufgelöster Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) gewonnen werden. Variationen in der Probe führen mitunter zu kleinen Unterschieden in der Abbildung, die mit dem Auge nur schlecht oder garnicht erkennbar sind, wodurch eine intuitive Deutung der Abbildung erschwert wird.

Zur direkten Interpretation der Abbildungen wird eine neue Methode basierend auf Mustererkennungsverfahren vorgestellt. Das Verfahren vergleicht kleine Bildausschnitte untereinander, ohne auf ein der Abbildung zugrundeliegendes Gitter angewiesen zu sein. So lassen sich komplexe Strukturen untersuchen, wie anhand von Abbildungen kristallin/kristalliner und kristallin/amorpher Grenzflächen demonstriert wird.