Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.58: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Wachstum von Silizium-Nanodrähten durch reaktives Verdampfen von Siliziummonoxid — •Florian Kolb, Dorothy Ma, Margit Zacharias und Ulrich Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, 06110 Halle (Saale)

In den letzten Jahren entwickelte sich ein starkes internationales Interesse an der Herstellung und physikalischen Charakterisierung von Halbleiternanodrähten und deren potentiellen Anwendungen als optische und elektronische Bauelemente. Wir berichten über die erfolgreiche Herstellung von Siliziumnanodrähten durch Verdampfen von Siliziummonoxid bei Nutzung von Stickstoff als inertes Transportgas. Die Nanodrähte wurden auf Silizium-Substraten gewachsen, die mit einem dünnen Goldfilm oder Goldkolloiden beschichtet sind. Damit ergibt sich ein Wachstum der Nanodrähte entsprechend der VLS (Vapor-Liquid-Solid)-Theorie. An den hergestellten Nanodrähten lassen sich Oszillationen im Durchmesser beobachten. Die Struktur der hergestellten Nanodrähte wurde mittels TEM-Aufnahmen analysiert. Konsequenzen für den Wachstumsprozess werden diskutiert. Es wird demonstriert, daß die Länge der Nanodrähte durch eine Variation des Stickstoffdrucks kontrolliert werden kann.