Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Poster II

HL 49.64: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2

Optische und strukturelle Eigenschaften von InAlAs-Quanten-punkten — •Jochen Bauer, Nicolaus Ulbrich, Dieter Schuh, and Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching

Die Verwendung von Intersublevel-Übergängen in Quantenpunkten zur Erzeugung von Licht im mittleren Infrarot bietet einen möglichen Weg, um den Gewinn in Quantenkaskadenlasern zu erhöhen. Dazu werden Quantenpunkte mit Energieniveaus zwischen der GaAs und der AlGaAs-Leitungsbandkante benötigt. AlInAs-Quantenpunkte sind hier-für geeignet. Es wurden verschiedene AlInAs/AlGaAs-Quantenpunkt-Proben gewachsen, bei denen der prozentuale Al-Anteil in den Quantenpunkten bzw. in der Matrix variiert wurde. Hohe Quantenpunktdichten von 2× 10¹¹/cm², sowie die δ-förmige Zustandsdichte der Quantenpunkte lassen einen hohen Gewinn bei deren Verwendung in unipolaren Lasern erwarten. Bei Variation des Al-Anteils in den Quantenpunkten zwischen 0 und 100% kann das Photolumineszenz-Signal vom nahen Infrarot (1,3eV) bis in den roten Spektralbereich (1,8eV) verschoben werden. Mit AFM-Messungen wurden Verteilungen der Höhen und der lateralen Brei-ten verschiedener Ensembles von Quantenpunkten bestimmt, welche direkt mit der Linienbreite der Quantenpunkt-Photolumineszenz korelliert sind. Ferner wurde der Einfluss der Wachstumstemperatur auf die Homogenität und Grösse der Quantenpunkte untersucht.