Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 49: Poster II
HL 49.91: Poster
Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–19:00, HSZ/P2
Polarisationsverhalten der Emission aus lokalisierten Exzitonenzuständen in (AlGa)As-Quantenwells — •M. Erdmann1, M. Wenderoth1, C. Ropers1, I. Mingareev1, S. Malzer2, G. Döhler2 und R. G. Ulbrich1 — 1IV. Phys. Inst. der Univ. Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 2Inst. f. Techn. Physik I, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen
Wir haben konfokale Mikro-PL-Spektroskopie mit Apertur 0.7 und räumlicher Auflösung unter 500 nm an (Al0.3 Ga0.7)As-Quantenfilmen durchgeführt. Das Quasikontinuum des e-hh E0-Übergangs im 4 nm-Quantenwell geht auf der Niederenergieseite in scharfe Linien über, die von lokalisierten Exzitonenzuständen im Unordnungspotential der GaAs/(AlGa)As-Grenzfläche herrühren. Die Struktur der Probe erlaubt, in Verbindung mit unserer Scan-Einrichtung, einzelne oder wenige dieser Zustände optisch zu adressieren. Einige Linien zeigen eine Aufspaltung in zwei linear polarisierte Komponenten mit einem energetischen Abstand von ca. 70-100 µeV. Die Polarisation weist eine Vorzugsrichtung relativ zum Kristall auf. Wir diskutieren den Einfluss von anisotropem Lokalisierungspotential sowie Spin-Bahn- und Austauschwechselwirkung auf die beobachtete Feinstruktur sowie die Orientierung der Polarisation. Magnetfeldabhängige Messungen zeigen einen Übergang von linearer zu zirkularer Polarisation der Feinstrukturkomponenten bei B > 0.5 T. Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 602 (TP A6) gefördert.
[1] D. Gammon et al., Phys.Rev.Lett. 76, 3005 (1996)
[2] M. Bayer et al., Phys.Rev.B 65, 195315 (2002)