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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften I
HL 5.9: Talk
Monday, March 24, 2003, 12:30–12:45, POT/81
Realisierung und elektrische Charakterisierung elektrostatisch gekoppelter Quantendot-Einzelelektronen-Transistoren in lateraler Anordnung — •Armin C. Welker, Jürgen Weis und Klaus v. Klitzing — Max-Planck-Institut für Festkörperforschung Heisenbergstr. 1 D-70569 Stuttgart
Elektrostatisch gekoppelte Quantendot-Einzelelektronen-Transistoren sind als System von besonderem Interesse, da sie, wenn die Quantendots separat elektrisch kontaktiert werden, als eine spin-lose Realisierung des Anderson-Störstellen-Modells diskutiert werden. Dies wurde bisher an gestapelten Quantendotsystemen, welche in zwei übereinanderliegenden zweidimensionalen Elektronensystemen hergestellt wurden, untersucht. Um eine bessere Kontrolle über die Tunnelbarrieren zu erreichen, wurden in dieser Arbeit beide Quantendotsysteme in einem zweidimensionalen Elektronensystem nebeneinanderliegend realisiert. Nach der Vorstellung der Herstellung durch reaktives Ionenätzen und einer kurzen Einführung der Transport-Charakteristik werden experimentelle Ergebnisse zu diesem System vorgestellt. Es ist besonders wichtig, die elektrostatische Kopplungsenergie zu maximieren. Sie beträgt 0,1 meV und damit 10 % der Coulomb-Ladeenergie e2/CΣ, d.h. der Energie, welche aufgebracht werden muss, um ein weiteres Elektron auf den Quantendot zu packen. Sie ist somit wie erwartet deutlich schwächer als bei gestapelten Strukturen.