Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 55: Störstellen / Amorphe Halbleiter
HL 55.7: Vortrag
Freitag, 28. März 2003, 13:15–13:30, BEY/154
Zur Struktur amorpher Halbleiter — •Jose Barzola Quiquia und Peter Haeussler — Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz, Deutschland
In Rahmen dieser Arbeit wurde die atomare Struktur von amorphen Halbleitern bzw. Isolatoren (Elemente und Legierungen) untersucht. Als Ergebnis dieser Untersuchungen präsentieren wir ein einheitliches Struktur Modell. Bei allen Systemen tritt ein dominantes Beugungsmaximum im Strukturfaktor S(K) bei Streuvektoren Kpe≈ 2kF auf, mit 2kF dem Durchmesser der Fermikugel. Dieses Strukturmaximum ist direkt mit einer lokal sphärisch-periodischen Abstands-Ordnung im r-Raum korreliert. Zusätzlich tritt ein Vormaximum bei Streuvektoren Kpp≈ 0,59 · 2kF auf, welches mit Winkel-Ordnung im r-Raum korreliert wird. Wir interpretieren diese Struktureigenschaften als Ergebnis optimierter Resonanzen zwischen dem Elektronensystem und der statischen Struktur mit Konsequenzen für die Phasenstabilität und den elektronischen Transport. Zur Unterstützung dieses Modells präsentieren wir Messungen der Plasmonenergie und stellen erste molekulardynamiche Rechnungen vor, die auf einem effektiven Paarpotential beruhen, das sich aus dem Bild von Resonanzen zwischen dem elektronischen System und der statischen Struktur ergeben.