Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 10: Elektronische Struktur II
O 10.5: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 16:00–16:15, FOE/ORG
Silizium-Donatoren als Moleküle in einer GaAs Matrix — •K. Sauthoff, M. Wenderoth, T.C.G. Reusch und R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstraße 13, 37073 Göttingen
Donatorkomplexe bestehend aus N = 2,3 SiGa Donatoren nahe der Galliumarsenid-(110)- Oberfäche wurden mittels hochortsauflösender Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie bei 8 K untersucht. Die spektroskopische Charakteristik I(U,x,y) des Einzeldonators wurde als Referenz verwendet. Im Vergleich dazu wurde in den Donatorkomplexen ein Aufspalten der Donatorzustände sowie eine räumlich lateral variierende Zustandsdichte beobachtet, wie man es für molekülartige Zustände im Realraum erwartet. Durch Variation der Tunnelspannung konnten verschiedene Arten der Wechselwirkung zwischen den Donatoren untersucht werden. Bei positiven und kleinen negativen Spannungen ist die Wechselwirkung von Coulombeffekten der N Elektronen dominiert, bei größeren negativen Spannungen werden die Eigenschaften des Gesamtsystems durch das von der Spitze induzierte quasi nulldimensionale Elektronengas bestimmt. In Donatorkomplexen mit N > 2 Donatoren kann eine Trennung zwischen zwei qualitativ unterschiedlichen Zuständen nicht mehr aufrechterhalten werden. Dieser Sachverhalt wird diskutiert im Rahmen von resonanzartigen Zuständen und Levelabstoßung.