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O: Oberflächenphysik

O 11: Grenzfl
äche fest-flüssig

O 11.7: Talk

Monday, March 24, 2003, 16:30–16:45, M\"UL/ELCH

In Situ SFM Untersuchung der galvanischen Kupferabscheidung unter realistischen Bedingungen — •Torsten Kowalski und Ulrich Memmert — Atotech Deutschland GmbH, 10507 Berlin

Die physikalischen Eigenschaften von galvanisch abgeschiedenen metallischen Schichten hängen von vielen mikroskopischen Prozessen ab. So sind z.B. die Größen und Formen von Körnern innerhalb einer polykristallinen Schicht abhängig von Keimbildungs- und Wachstumsprozessen. Diese Prozesse können durch verschiedene Badzusätze beeinflusst werden. Die Rasterkraftmikroskopie (SFM) ermöglicht, in Situ die Abscheidung von Schichten zu verfolgen. Es existieren bereits zahlreiche Arbeiten, die sich der Untersuchung dieser Abscheidungen auf einer atomarer/molekularer Skala und unter idealisierte Modellbedingungen widmen. Diese konzentrieren sich allerdings häufig auf die anfängliche Keimbildung bei niedrigen Stromdichten auf idealisierten Substraten. In der vorliegenden Untersuchung wird über Abscheidevorgänge mit in Situ SFM unter realistischeren Bedingungen (hohe Stromdichten, Verfolgung der Abscheidung größerer Schichtdicken bei hohen Elektrolytkonzentrationen und auf polykristallinen Substraten) berichtet. Die einebnende Wirkung der zugesetzten Additive wird, in Abhängigkeit von Konzentration und Mengenverhältnis, in Situ bestimmt. Es werden auch die Limitationen der Methode diskutiert.