Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 12: Postersitzung (Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Grenzfl
äche fest-flüssig, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Rastersondentechniken, Methodisches)

O 12.22: Poster

Montag, 24. März 2003, 18:00–21:00, P1

Rasterkraftmikroskopische Herstellung von Einzelelektronen-Systemen — •Hans Clemens, Quoc Thai Do und Axel Lorke — Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg, 47048 Duisburg

Mit Hilfe eines Rasterkraftmikroskops (AFM) wurden dünne Gold-Leiterbahnen durchtrennt und Nanopartikel in diese schmalen Zwischenräume so eingefügt, dass Einzelelektronen-Tunnelsysteme mit nicht-linearer Strom-Spannungskennlinie entstanden.

Die ca. 20 nm dünnen und 500 nm breiten Leiterbahnen wurden mittels Licht- und Elektronenstrahl-Lithografie auf Si-Substraten mit isolierender SiO2-Zwischenschicht aufgebracht. Das Durchtrennen erfolgte mit speziellen AFM-Lithografie-Spitzen. Dieser Vorgang wurde in situ durch Widerstandsmessung überwacht (bei 300 K: ∼1 kΩ →>20 MΩ). Als Coulomb-Inseln dienten kommerzielle Au-Nanopartikel (10 nm Ø). Mittels AFM-gestützter Nanomanipulation konnten sie in die zuvor hergestellten Gräben geschoben werden. Elektrische Transportmessungen, durchgeführt bei tiefen Temperaturen (77 K und 4,2 K), zeigten Coulomb-Blockade-artiges Verhalten. Das verdeutlicht, dass sich mit dieser Präparationsmethode Einzelelektronen-Systeme, z.B. Einzelelektronen-Transistoren herstellen lassen.

100% | Bildschirmansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2003 > Dresden