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O: Oberflächenphysik

O 12: Postersitzung (Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Grenzfl
äche fest-flüssig, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Rastersondentechniken, Methodisches)

O 12.46: Poster

Montag, 24. März 2003, 18:00–21:00, P1

Eine UHV-Rastertunnelmikroskopieanlage für Messungen bei 300 mK und 14 T — •Focko Meier, Andre Wachowiak, Jens Wiebe, Daniel Haude, Markus Morgenstern und Roland Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Mit dem Ziel, die elektronische Struktur von Festkörpersystemen bei hoher Energie- und lateraler Auflösung zu bestimmen, ist eine Tieftemperatur-Ultrahochvakuum(UHV)-Rastertunnelmikroskopie-Anlage aufgebaut worden. Die gezeigte Anlage folgt dem „bottom loading“-Prinzip, bei dem das Rastertunnelmikroskop aus der Hauptkammer eines 3-Kammer-UHV-Systems in die Meßposition gefahren wird. In dieser werden mittels eines ³He-Verdampfungskryostaten und eines supraleitenden Magneten die Messungen bei Temperaturen bis zu 300 mK und Magnetfeldern bis zu 14 T durchgeführt. Präparationsmöglichkeiten für die in das Rastertunnelmikroskop einzubringenden Proben und Spitzen stehen ebenso wie Standardanalysetechniken (LEED/Auger-Einheit, Aufwachs-Rastertunnelmikroskop) in den Nebenkammern zur Verfügung. Eine implementierte temperaturvariable Apparatur, die auf dem magneto-optischen Kerreffekt beruht, erlaubt eine zeitnahe magnetische Charakterisierung aufgebrachter Inseln.

Erste Testmessungen sollen die Leistungsfähigkeit der Anlage zeigen.