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O: Oberflächenphysik

O 20: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 20.10: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 17:15–17:30, FOE/ANOR

Photoelektronenspektroskopische Untersuchungen an InN-Oberflächen — •Stefan Krischok^1,2, Marcel Himmerlich^1,2, Rastislan Kosiba², Gernot Ecke², Oliver Ambacher² und Jürgen A. Schaefer^1,2 — ¹Institut für Physik der TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — ²Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau

An verschiedenen InN-Proben wurden Unterschiede in der Ladungsträgerbeweglichkeit sowie der gemessenen Bandlücke beobachtet. In der vorliegenden Arbeit wurden verschiedene InN-Proben mit photoelektronenspektroskopischen Methoden (XPS und UPS) sowie der Einfluss von Ionenbeschuss (Ar⁺ 500eV) auf die Oberflächenzusammensetzung untersucht. An der mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellten Probe wurde neben Verunreinigungen durch Kohlen- und Sauerstoff, die durch den Transport durch Atmosphäre verursacht wurden, eine nahezu stöchiometrische InN-Oberfläche mit einem geringen In_xO_y-Anteil vorgefunden. Im Gegensatz dazu wurde an der mittels Sputtern hergestellten Probe, neben chemischen Verunreinigungen durch Sn und Ag, ein wesentlich geringerer N-Anteil sowie ein deutlich höherer Anteil eingebauten Sauerstoffs gefunden. Der Beschuss der MBE-gewachsenen Proben mit Ar-Ionen führte zu einer Anreicherung mit metallischem In, die eine starke Abhängigkeit vom Einfallswinkel der Ionen zeigte.