Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.34: Poster
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1
Friedeloszillationen in der lokalen Zustandsdichte beobachtet im niederdimensionalen Elektronengas — •K. Sauthoff, M. Wenderoth, S. Loth und R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstraße 13, 37073 Göttingen
Friedeloszillationen wurden bereits vor einigen Jahren an SiGa-Donatoren nahe der Galliumarsenid-(110)-Oberfäche in Rastertunnelmikroskop-Topografiemessungen beobachtet [1]. Da das Ferminiveau der GaAs-(110)-Spaltfläche nicht gepinnt ist, induziert die metallische Spitze im Tunnelexperiment bei negativen Probenspannungen ein quasi nulldimensionales Elektronengas [2]. Die Elektronen werden an Donatoren gestreut, wodurch der atomaren Topographie ein Ringmuster mit einigen nm Ausdehnung überlagert wird.
In den vorliegenden Experimenten wurden die Friedeloszillationen mittels ortsaufgelöster Rastertunnelspektroskopie bei 8 K analysiert. Aus Leitfähigkeitskarten dI/dU(x,y)|U=konst. wurde die Fermiwellenlänge als Funktion der Probenspannung analysiert. Die Eigenzustände des quasi-nulldimensionalen Elektronensystems wurden mittels 1d- (WKB-Näherung) und 2d- (Schrödingergleichung) Simulationsrechnungen bestimmt. Die experimentellen Beobachtungen wurden im Rahmen der Ergebnisse der Simulationen diskutiert.
[1] M.C.M.M. van der Wielen, A.J.A. van Roij, H. van Kempen, Phys. Rev. Lett. 76 (7) 1075 (1996).
[2] M. Wenderoth et al., Europhys. Lett. 45 (5), 579 (1999).