Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.73: Poster
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1
Ultradünne PTCDA-Filme auf Ag(110): Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie und Ramanspektroskopie — •T. Muck1, J. Geurts1, V. Wagner2, E. Umbach1, T. Herrmann3, M. Wahl3, N. Esser3 und W. Richter3 — 1Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2School of Engineering and Science, International University of Bremen, Campus Ring 8, 28759 Bremen — 3TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, 10623 Berlin
Die strukturellen Eigenschaften organischer Schichten und die Metall/ Organik-Grenzflächen spielen eine entscheidende Rolle bei organischen Bauelementen wie Leuchtdioden (OLEDs) und Feldeffekt-Transistoren (OFETs). Hochgeordnete epitaktische Filme lassen sich bei der Deposition von 3,4,9,10-Perylen-Tetracarbonsäure-Dianhydrid (PTCDA) auf Ag erreichen. Dabei erlaubt die Ag(110)-Oberfläche im Gegensatz zu Ag(111) ein eindomäniges Wachstum. Zur Analyse der elektronischen und strukturellen Eigenschaften verwenden wir Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) und Ramanspektroskopie im UHV. Wir beobachten, dass der Oberflächenzustand von Silber bei 1,7 eV aufgrund der ersten Monolage (ML) PTCDA verschwindet, die vor allem im Bereich des HOMO-LUMO Übergangs von PTCDA zu einer starken Veränderung von Δ r/r führt. Ab zwei ML erscheinen in diesem Bereich scharfe elektronische Übergänge. Die vibronischen Eigenschaften dieser ultradünnen Schichten haben wir mittels Ramanspektroskopie charakterisiert. Die besonderen Eigenschaften der ersten und zweiten ML infolge der Substratbindung zeigen sich deutlich in den Ramanspektren. Die Ergebnisse werden anhand von strukturellen Eigenschaften diskutiert.