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O: Oberflächenphysik
O 33: Nanostrukturen II
O 33.4: Talk
Thursday, March 27, 2003, 15:45–16:00, FOE/ORG
Lagenweises Wachstum von Antimon-Nanopartikeln auf MoS2(0001) — •Bert Stegemann, Bernhard Kaiser und Klaus Rademann — Institut für Chemie, Humboldt-Universität zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 2, D-12489 Berlin
Sb4-Cluster wurden thermisch auf eine gekühlte MoS2(0001)-Oberfläche im Ultrahochvakuum deponiert und das Wachstumsverhalten mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) untersucht. Im Anfangsstadium bilden sich zweidimensionale Nanopartikel (mittlerer Durchmesser: 70 Å). Mit zunehmender Bedeckung erfolgt die Nukleation in der zweiten Lage und anschließend in der dritten Lage, lange bevor die erste Lage geschlossen ist. Alle Lagen haben eine Höhe von etwa 5 Å und bestehen jeweils aus einer Monolage undissoziierter Sb4-Cluster. Es wird gezeigt, daß die sichtbaren Flächen der einzelnen Lagen einer Poisson-Verteilung entsprechen. Folglich verbleiben alle Sb4-Cluster auf der Lage, auf der sie deponiert wurden, und das Wachstum erfolgt ohne Interlagendiffusion, welche durch eine wirkungsvolle Stufenbarriere (Schwöbel-Ehrlich) unterdrückt wird. [1]
Die weitere Erhöhung der Bedeckung führt zu einem geschlossenen, unstrukturierten Film, in dem bei höchster Auflösung die periodische, lokal begrenzte Anordnung von Sb4-Clustern in rechtwinkligen Gittern nachgewiesen werden kann. [2]
[1] B. Stegemann, B. Kaiser, K. Rademann, New J. Phys. 4, 89 (2002).
[2] T.M. Bernhardt, B. Stegemann, B. Kaiser, K. Rademann, Angew. Ch. (2002) im Druck.