DS 1: Ionenimplantation I
Montag, 8. März 2004, 09:30–11:45, HS 31
 |
09:30 |
DS 1.1 |
Untersuchung der Heliumimplantation als Schlüsselprozess in der Relaxation von pseudomorphischen SiGe/Si Heterostrukturen — •N. Hueging, M. Luysberg, D. Buca, S. Mantl, M. Morschbacher, P. Fichtner, R. Loo, M. Caymax und K. Urban
|
|
|
|
09:45 |
DS 1.2 |
Spuren hochenergetischer Ionen in NiO — •Beate Schattat, Wolfgang Bolse, Hartmut Paulus, Siegfried Klaumünzer und Roland Scholz
|
|
|
|
10:00 |
DS 1.3 |
Self-organisation of thin ceramic films under swift heavy ion bombardment. — •Dereje Etissa-Debissa, Melih Kalafat, Hartmut Paulus, Wolfgang Bolse, and Siegfried Klaumünzer
|
|
|
|
10:15 |
DS 1.4 |
Monte-Carlo-Simultation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer SiCx-Ausscheidungen in Silizium während C+-Ionen-Implantation — •F. Zirkelbach, M. Häberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
|
|
|
|
10:30 |
DS 1.5 |
Damage formation and annealing in InP due to swift heavy ions — •Andrey Kamarou, Werner Wesch, and Elke Wendler
|
|
|
|
10:45 |
DS 1.6 |
Ionenstrahlinduzierte Grenzflächendurchmischung in isotopenmarkierten Schichtsystemen — •Mirjam Beuttler, Wolfgang Bolse, Ulrich Kreissig und Wolfgang Bohne
|
|
|
|
11:00 |
DS 1.7 |
Interface modification of non-miscible multilayer systems by swift heavy ions — •W. Bolse, C. Rumbolz, B. Schattat, D. Kabiraj, D.K. Avasthi, and R.S. Chauhan
|
|
|
|
11:15 |
DS 1.8 |
Properties of buried waveguides produced by He-irradiation in KTP and Rb:KTP — •F. Schrempel, Th. Opfermann, J.-P. Ruske, U. Grusemann, and W. Wesch
|
|
|
|
11:30 |
DS 1.9 |
Conditions resulting in an epitaxial growth of cubic boron nitride films on diamond substrates by ion beam assisted deposition — •X.W. Zhang, H. Yin, R. Lang, H.-G. Boyen, and P. Ziemann
|
|
|
