Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 21: Dünne Schichten für die Photovoltaik III
DS 21.1: Vortrag
Donnerstag, 11. März 2004, 15:45–16:00, HS 32
Cd-freie Pufferschichten für die Anwendung in CuInS2Dünnschichtsolarzellen — •Olga Papathanasiou1, Susanne Siebentritt1, Wolfgang Bohne1, Erik Strub1, Jorg Röhrich1, Wolfram Calvet1, Christian Pettenkofer1, Christian Kristukat2 und Martha Lux-Steiner1 — 1Hahn-Meitner-Institut Berlin — 2Technische Universität Berlin
Die höchsten Wirkungsgrade bei CuInS2-Solarzellen werden mit einer wenige Nanometer dicken Pufferschicht zwischen Absorber und ZnO-Fensterschicht erreicht. Bislang wird hierfür eine nasschemisch abgeschiedene CdS-Schicht verwendet. Mittels MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) abgeschiedenes ZnSe bietet aufgrund seiner größeren Bandlücke (2.7 eV) und seiner geringeren Toxizität eine konkurrenzfähige Alternative. Hinzu kommt, dass der MOCVD-Prozess ein trockenes Abscheideverfahren ist, und die Mo"glichkeit einer industriellen in-line Integration bietet. Mit photounterstützter MOCVD sind Abscheidetemperaturen bis hinunter zu 250∘C bis 200∘C möglich. Mit diesen Temperaturen sind Wirkungsgrade bis zu 8% erzielt worden. An epitaktischen Si/CuInS2/ZnSe Strukturen wurden HI-ERDA (Heavy Ion Elastic Recoil Detektion Analysis) und IRS (Infra Red Spectroscopy) Messungen durchgeführt, um ein besseres physikalisches Verständnis der CuInS2/ZnSe Grenzschicht zu erhalten.