Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: Dünnschichtanalytik II

DS 9.7: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 16:45–17:00, HS 32

In situ Prozessanalytik mit Hilfe der Ramanstreuung und der spektroskopischen Ellipsometrie — •M. Schubert¹, N. Ashkenov¹, C. Bundesmann¹, M. Lorenz¹, M. Grundmann¹, E. Schubert², H. Neumann², B. Rauschenbach², A. Braun³ und G. Lippold³ — ¹Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — ²Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig e.V., 04303 Leipzig — ³Solarion GmbH, Photovoltaik, 04288 Leipzig

Mit Hilfe der in-situ Ramanstreuung und der spektroskopischen in-situ Ellipsometrie gelingt die zerstörungsfreie, berührungslose und schnelle Bestimmung von optischen und strukturellen Dünnschicht-Eigenschaften während des Dünnschichtwachstums. Erfolgt die Messung und Analyse schnell genug, können die gewonnenen Informationen zur automatischen Steuerung des laufenden Prozesses in vorgegebenen Parameterbereichen, und damit zur Langzeitstabilitat von Qualtitätsmerkmalen verwendet werden. Wir berichten über Anwendungen auf das Wachstum von CuInSe₂-Solarzellenabsorberschichten, ZnO-Dünnschichten, und Mo-Si Röntgenreflexionsschichstrukturen.