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Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)

O 28.34: Poster

Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C

TOF-PEEM für zeitaufgelöste Mikrospektroskopie von Oberflächen basierend auf einer fs-Laser EUV-Lichtquelle — •G. H. Fecher1,2, A. Oelsner1, G. Schönhense1, J. Kutzner2, G. Tsimilis2 und H. Zacharias21Johannes Gutenberg - Universität, 55099 Mainz — 2Westfälische Wilhelms - Universität, 48149 Münster

Die Kombination eines Photoemissions Elektronen Mikroskops (PEEM) mit einer Femtosekunden Laser gepumpten EUV Lichtquelle wird präsentiert. Das PEEM ist für simultane Bildaufnahme und Flugzeitanalyse (TOF) mit einem 3D (x,y,t) Detektor ausgestattet. Dies erlaubt neuartige Anwendungen in der Mikrospektroskopie von Oberflächen.
Die Lichtpulse im extremen ultraviolett Bereich werden in Edelgasen durch ein 30fs Ti:Saphir Lasersystem generiert. Intensive IR Pulse erzeugen im Konversionsgas hohe Harmonische bis 120eV. Ein Toroidgitter wird zur Auswahl der Harmonischen eingesetzt. Al-Filter und Au-Spiegel beschränkten den Energiebereich auf 15-72eV. Die herkömmliche Bildeinheit de PEEM wurde durch einen 3D-Delayline Detektor ersetzt. Dieser registriert die Elektronen in 2 räumlichen und einer zeitlichen Koordinate. Die rückwärtige Mikroskopsäule wird als Flugzeitstrecke betrieben. Die Zeitauflösung des Detektors beträgt 125ps. Erste Ergebisse zeigen, daß der Bildkontrast empfindlich von der ausgewählten Energie der Elektronen abhängt. Die derzeitige Begrenzung der räumlichen (160nm) und zeitlichen Auflösung der Methode ist durch die Repetitionsrate (1kHz) des anregenden Lasers bedingt.

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