Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.60: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Molekular-Strahl-Epitaxie von Mn dotierten GaN Schichten — •Martin Kocan, Martin Roever, Dong-Du Mai, Marco Bertelli, Tore Niermann, Jörg Malindretos, Jan Zenneck, Michael Seibt und Angela Rizzi — IV. physikalischer Institut, Georg-August-Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen

Theoretische Arbeiten sagen für den magnetisch verdünnten Halbleiter GaN:Mn ferromagnetische Eigenschaften mit einer Curie Temperatur von über 300 K vorher. Das macht dieses Materialsystem interessant für ’Spin-Elektronik’ Anwendungen. Die verfügbaren experimentellen Daten bestätigen zum Teil die Existenz einer ferromagnetischen Ordnung oberhalb von Raumtemperatur, sind bisher jedoch nicht konsistent genug, um die Frage nach den zugrunde liegenden Mechanismen zu beantworten. In diesem Beitrag wird die Untersuchung von GaN:Mn Strukturen vorgestellt. Die GaN:Mn Schichten wurden mittels einer MBE (Molekular-Strahl-Epitaxie) Anlage mit einer Uni-Bulb(TM) Plasma-Quelle hergestellt. Das Wachstum erfolgte auf einem p-Si(111) Substrat. Die GaN:Mn Schichten wurden bei unterschiedlichen Wachstumsbedingungen aufgewachsen. Unterschiedliche Mn Konzentration wurde in den Schichten gemessen. Die Oberflächenmorphologie wurde mit einem optischen Mikroskop und einem AFM (Atomic Force Microscopy) analysiert. Mit XRD (X-ray Diffraction) und TEM (Transmission Electron Microscope) konnte man die strukturellen Eigenschaften auf Ausscheidungen-Bildung untersuchen. Die magnetischen Eigenschaften zeigen sowohl paramagnetisches als auch ferromagnetisches Verhalten.