Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 23: II-VI Halbleiter II
HL 23.10: Vortrag
Samstag, 5. März 2005, 13:00–13:15, TU P-N202
Phosphordotierung in ZnO — •Christian Neumann1, Joachim Sann1, Ute Haboeck2 und Bruno K. Meyer1 — 1I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität-Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Giessen, Germany — 2Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Phosphor ist ein möglicher Kandidat für eine p-Dotierung von ZnO. Wir berichten über den Einbau von Phosphor in mittels CVD epitaktisch abgeschiedenen ZnO-Dünnschichten sowie Diffusionsexperimenten an ZnO-Einkristallen. Röntgendiffraktometrie, temperaturabhängige Photolumineszenzmessungen im Bereich von 4 - 300 K sowie Ramanspektroskopie von 50 - 2750 cm−1 mit verschiedenen Anregungswellenlängen zeigen den Einfluß der Phosphordotierung im ZnO.