Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 3: Spintronik I

HL 3.4: Talk

Friday, March 4, 2005, 11:30–11:45, TU P164

Spinrelaxation bei Anwesenheit eines elektrischen Feldes — •Olaf Bleibaum — Institut für Theoretische Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg

Der Einfluss eines elektrischen Feldes auf die Spinrelaxation in einem Halbleiter mit Rashba-Wechselwirkung wird im Rahmen einer feldtheoretischen Formulierung studiert. Die Untersuchung zeigt, dass ein elektrisches Feld direkten Einfluss auf die Relaxationsrate und den Charakter der Relaxation hat. Überschreitet das Feld ein kritisches Feld, so führt es zu einer zusätzlichen Drehung der Magnetisierung, die mit Hilfe optischer Techniken leicht beobachtet werden könnte. In dem Beitrag untersuchen wir die Abhängigkeit der Rotationsfrequenz und des kritischen Feldes von den Materialparametern und der Stärke des elektrischen Feldes und studieren den Einfluss von Quantenkorrekturen auf die Relaxation.