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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Halbleiterlaser II

HL 38.1: Talk

Monday, March 7, 2005, 10:00–10:15, TU P-N201

Auswirkungen der Alterung auf Rekombinationsdynamik und optische Verstärkung von GaN-basierten Laserdioden — •C. Netzel¹, S. Heppel¹, A. Hangleiter¹, S. Miller², M. Furitsch², A. Leber², A. Lell² und V. Härle² — ¹Institut für Technische Physik, TU Braunschweig — ²OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg

Die Entwicklung von GaN-basierten, blauen Halbleiterlaserdioden (LDs) ist inzwischen bis zur industriellen Produktion fortgeschritten. Die Erschließung des UV-Bereichs für LDs ist momentanes Forschungsziel. Ein Problem, das allgemein die Weiterentwicklung hemmt, sind Alterungsprozesse, bedingt durch hohe Wärmeentwicklung und/oder hohe Ströme in den Heterostrukturen. Untersuchungen dieser Alterungsprozesse mit leistungs- und temperaturabhängiger Photolumineszenz und optischen Verstärkungsmessungen werden hier vorgestellt. Elektrisch gealterte und ungealterte Laserstreifen (λ≈400nm) wurden verglichen. Während die ungealterten Laser höhere Verstärkung und niedrigere Wellenleiterverluste im Fall hoher Ladungsträgerdichten aufweisen, zeigen die gealterten Strukturen bei niedrigen Ladungsträgerdichten höhere interne Quantenausbeuten. Um zu verifizieren, ob die Wärmeentwicklung während der Alterung für die Unterschiede verantwortlich ist, wurden Laserstrukturen über 24 Stunden bei unterschiedlichen Temperaturen geheizt und die optischen Messungen zwischen den Heizschritten verglichen.