Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 4: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I
HL 4.2: Vortrag
Freitag, 4. März 2005, 11:00–11:15, TU P-N201
Resonante Ramanstreuung in einzelnen InGaAs/GaAs-Quantenpunkten — •Rico Schwartz, Daniel Schwedt und Heinrich Stolz — Universität Rostock, Institut für Physik, AG Halbleiterphysik, Universitätsplatz 3, 18051 Rostock
Es wird über Photolumineszenzuntersuchungen an selbstorganisierten In0,6Ga0,4As/GaAs-Quantenpunkten [1] berichtet. Die Anregungsenergie wurde in einem Bereich von etwa 35 bis 55 meV oberhalb der Emission aus dem Grundzustand der Exzitonen variiert und für jede Anregungsenergie wurde ein Photolumineszenzspektrum aufgenommen. In diesen Spektren findet man neben exzitonischer Emission auch Linien, die durch Streuung am longitudinal optischen Quantenpunktphonon (ELO−QP=33,5 meV) oder am longitudinal optischen GaAs-Phonon (ELO−GaAs=36,4 meV) hervorgerufen werden. Fallen die Emissionslinien von Exziton und Quantenpunkt-Phonon energetisch zusammen, kommt es zu resonanter Verstärkung des Streuprozesses. Die Linienbreite der Resonanz (Δ E=0,8 meV) ist erheblich größer als die Summe der Linienbreiten von Exziton und Phonon, was auf eine starke Exziton-Phonon-Kopplung im Halbleiterquantenpunkt hinweist.
[1] A. Kuther, M. Bayer, A. Forchel, A. Gorbunov, V. B. Timofeev, F. Schäfer, and J. P. Reithmaier, Phys. Rev. B 58, R7508 (1998)