Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: II-VI Halbleiter IV

HL 44.6: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 16:15–16:30, TU P-N201

Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von dotierten II-VI-Bragg-Reflektoren — •K. Otte, C. Kruse, J. Dennemarck und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Der kürzlich erbrachte Nachweis grüner Laseremission eines II-VI-basierten oberflächenemittierenden Lasers mit Vertikalresonator (VCSEL) bei Raumtemperatur (optisch gepumpt) lässt auch einen elektrischen Injektionsbetrieb realistisch erscheinen [1]. Die Schlüsselkomponenten in diesem Zusammenhang sind hochreflektive Bragg-Reflektoren (DBRs) mit ausreichender Leitfähigkeit in vertikaler Richtung. Es wurden n- und p-dotierte DBRs hergestellt, welche ZnSSe als Hochindex- und MgS/Zn(Cd)Se Übergitter (SLs) als Niedrigindexschichten verwenden (Substrat GaAs). Aus diesen Strukturen wurden durch Ionenätzen freistehende Mesen präpariert und zur Vermessung der elektrischen Eigenschaften mit In- bzw. Pd/Au-Metallkontakten versehen. Anhand von Strom-Spannungskurven lässt sich folgern, dass sich mit n-dotierten DBRs ausreichende Stromdichten erreichen lassen, wobei die Leitfähigkeit empfindlich von der Periode und Zusammensetzung des MgS/Zn(Cd)Se-SLs abhängt. P-dotierte DBRs dagegen zeigen einen um Größenordnungen höheren Widerstand und können wahrscheinlich in VCSELn nicht eingesetzt werden. Daher bietet sich ein VCSEL-Aufbau mit Tunnelübergang an, bei dem zwei n-dotierte DBRs Verwendung finden. [1] C. Kruse et al., phys. stat. sol.(b) 241, 731 (2004)