Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 46: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung I
HL 46.3: Vortrag
Montag, 7. März 2005, 17:15–17:30, TU P164
Selbstorganisierende In(Ga,Al)As-Quantenstrukturen — •Andreas Schramm, Stephan Schulz, Christian Heyn und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11C, 20355 Hamburg, Germany
Beim epitaktischen Wachstum von verspannten, InAs-haltigen Schichten auf (001)-GaAs bilden sich spontan Nanostrukturen. Hier werden derartige, sogenannte selbstorganisierte In(Ga,Al)As-Nanostrukturen mit Feststoffquellen-Molekularstrahlepitaxie unter Verwendung von As4 als Arsenquelle hergestellt und mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) strukturell untersucht. Es werden Ergebnisse präsentiert, die die Abhängigkeit der Geometrie von Wachstumsparametern wie Substrattemperatur, Überwachstemperatur, Deckschichtmaterial, Bedeckung und Wartezeiten demonstrieren. Im Gegensatz zu GaAs als Bedeckungsmaterial, bei dem sich nur mit As2 ringartige Strukturen bilden [1], erhält man mit AlAs als Deckmaterial auch mit As4 bei geeigneten Parametern ring- und scheibenartige Strukturen. Der Grund hierfür liegt unter anderem in der kürzeren Diffusionslänge der Al auf der Oberfläche [2].
Weiterhin werden die strukturellen Eigenschaften der selbstorganisierenden Nanostrukturen mit Ergebnissen elektronischer Untersuchungen wie die Kapazitätsspektroskopie (CV) und die Deep Level Transienten Spektroskopie (DLTS) korreliert.
[1] Garcia et al, APL 71 2014 (1997)
[2] Lee et al, Nanotechnology 15 (2004) 848-850