Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 50: Nanodr
ähte
HL 50.6: Vortrag
Dienstag, 8. März 2005, 12:00–12:15, TU P-N201
Wachstum von Silizium Nanodrähten auf Si-(111)-Substraten mittels Molekularstrahlepitaxie — •Luise Schubert1, Nikolai D. Zakharov1, Gerald Gerth1, Hartmut S. Leipner2, Peter Werner1 und Ulrich Gösele1 — 1Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle (Saale) — 2Martin-Luther-Universität, Abteilung Physik, Halle (Saale)
Nanodrähte aus Halbleitermaterialien werden zumeist mittels CVD (chemical vapour deposition) hergestellt. Dabei dienen kleine Metalltröpfchen auf der Substratoberfläche als Katalysatoren für den Wachstumsprozeß, welcher als VLS (vapour liquid solid)-Mechanismus in der Literatur beschrieben wird. Erste Arbeiten unserer Arbeitsgruppe zeigen, daß es ebenfalls möglich ist, Silizium-Nanodrähte auf der Basis der Molekularstrahlepitaxie (MBE) wachsen zu lassen. Diese Methode hat den Vorteil, daß diese Nanostrukturen unter sehr sauberen und kontrollierbaren Bedingungen gezüchtet werden können [1]. Das Wachstum der mittels MBE hergestellten Silizium Nanodrähte läßt sich jedoch nicht ausschließlich mit dem klassischen Modell des VLS-Mechanismus beschreiben. Die Experimente zeigen, daß neben thermodynamischen Wachstumsbedingungen zusätzlich Oberflächendiffusionsprozesse einen entscheidenden Einfluß auf die Ausbildung von Nanodrähten haben. Die Herstellung von entsprechenden Si/Ge-Heterostrukturen wird ebenfalls diskutiert.
[1] L. Schubert et al, Appl. Phys. Lett. 84, 4968-70 (2004)