Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 51: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung III

HL 51.4: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 11:30–11:45, TU P-N202

Lumineszenz von InGaN/GaN-Quantenpunktschichten in Abhängigkeit von der Versetzungsdichte und der Schichtanzahl — •A. Strittmatter¹, L. Reissmann¹, A. Hoffmann¹, D. Bimberg¹, P. Veit², T. Riemann² und J. Christen² — ¹Technische Universität Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin — ²Otto-von Guericke-Universität Magdeburg, Inst. f. Experimentelle Physik, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Einzel- und Mehrfach-Quantenpunktschichten bestehend aus InGaN/GaN-Stapeln wurden mittels MOCVD auf mit Stegen strukturierten Si(111)-Substraten gewachsen. Der GaN-Puffer zeigt in den Bereichen oberhalb der Si Stege eine hohe Versetzungsdichte von ca. 10¹⁰ cm⁻² und eine sehr niedrige (10⁷ cm⁻²) Versetzungsdichte in den lateral überwachsenen Gebieten. Interessanterweise bildet die Lumineszenz einzelner InGaN-Schichten die Versetzungsdichte scharf ab, in dem die Lumineszenz in den versetzungsarmen Gebieten zu grösseren Wellenlängen verschiebt. Im Gegensatz hierzu zeigt die Lumineszenz gestapelter InGaN/GaN-Schichten auf solchen strukturierten Si-Substraten kein derartiges Abbild der Versetzungsdichte. Eine mögliche Erklärung wäre ein sättigbarer Trapping-Mechanismus für In-Atome an Versetzungen. Die Arbeiten werden gefördert durch die Europäische Union im Rahmen des SANDiE Network of Excellence (Fördernummer: NMP4-CT-2004-500101) und durch den Sfb 296 der DFG.