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HL: Halbleiterphysik

HL 6: Optische Eigenschaften

HL 6.7: Talk

Friday, March 4, 2005, 12:15–12:30, TU P-N229

Resonanzfluoreszenz von Quantenfilmexzitonen: homogene vs. inhomogene Linienverbreiterung — •Daniel Schwedt¹, Heinrich Stolz¹, Hyatt M. Gibbs² und Galina Khitrova² — ¹Institut für Physik, Universität Rostock, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock — ²Optical Sciences Center, The University of Arizona, Tucson, Arizona 85721-0094, USA

Die spektrale Linienform der Lumineszenz aus Quantenfilmen (QW) hängt stark von der Wachstumsunordnung an den Grenzflächen der Schicht zum Barrierenmaterial ab. Dies resultiert in einer Verteilung der Resonanzenergien (inhomogene Linienbreite) und in einer Ausrichtung der Übergangsdipole der Exzitonen. Für GaAs-QWs lassen sich die anregten Exzitonen bei geringen Anregungsdichten gut als ungeordnete Ensemble aus Dreiniveausystemen beschreiben [1]. Um die allgemeine Gültigkeit dieses Modells zu prüfen, haben wir Resonanzfluoreszenzexperimente an einem 8 nm breiten InGaAs-QW durchgeführt und vergleichen diese mit Modellrechnungen. Die Emission zeigt in diesem Fall eine starke Überlagerung von inhomogener und homogener Linienverbreiterung.

D. Schwedt, Ch. Nacke, H. Stolz, S. Eshlaghi, D. Reuter and A. Wieck, phys. stat. sol. (b) 240, 9 (2003).