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HL: Halbleiterphysik
HL 8: III-V Halbleiter I
HL 8.5: Talk
Friday, March 4, 2005, 12:45–13:00, TU P-N202
Strukturelle Einflüsse auf die Rekombinationsdynamik in InGaAsN-Quantenfilm-Strukturen — •Radowan Hildebrand1, Matthias Dworzak1, Till Warming1, Axel Hoffmann1, Massimo Galluppi2, Lutz Geelhaar2, Henning Riechert2, T. Remmle3 und Martin Albrecht3 — 1Instut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Infineon Technologies AG, Corporate Research Photonics, 81739 München — 3Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin
Der Einbau von Stickstoff in InGaAs-Strukturen und die damit verbundene Verschiebung der Bandlücke in den infraroten Spektralbereich eröffnete dem quaternären Materialsystem InGaAsN seine Anwendung als aktive Schicht in Quantenfilm-Laser-Strukturen für den Spektralbereich zwischen 1,3 und 1,55 µm. Ziel gegenwärtiger Untersuchungen ist eine Optimierung der optischen Eigenschaften dieser Strukturen. Dazu wurden einzelne InGaAsN-Schichten mittels MBE bei verschiedenen Wachstumstemperaturen hergestellt und unterschiedlichen thermischen Ausheilverfahren unterzogen. Strukturelle Untersuchungen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie zeigen einen Übergang von reinen Quantenfilmen zu inselartigen Strukturen. Wie zeitaufgelöste und temperaturabhängige Photolumineszenzuntersuchungen beweisen, wird die Relaxation und Rekombination optisch angeregter Ladungsträger durch deren Lokalisierung und Umverteilung bestimmt.