Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 38: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
O 38.5: Vortrag
Dienstag, 8. März 2005, 11:45–12:00, TU EB301
Photoelektronenbeugungsuntersuchungen an der SiO2/4H-SiC(0001)-Grenzfläche — •Mark Schürmann, Stefan Dreiner, Ulf Berges, Daniel Weier, Abner de Siervo und Carsten Westphal — Universität Dortmund, Experimentelle Physik 1, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund
Thermisch oxidierte Siliziumkarbidoberflächen wurden mittels Photoelektronenbeugung untersucht. Dazu stand intensives Synchrotronlicht mit hoher Energieauflösung zur Verfügung, so daß es möglich war, die lokale atomare Struktur der verschiedenen chemisch verschobenen Komponenten im Si2p-Photoemissionsspektrum getrennt zu untersuchen. Insbesondere war so das Signal der Siliziumatome an der Siliziumoxid/Siliziumkarbid-Grenzfläche der Analyse zugänglich.
Die Ergebnisse der Messungen zeigen, daß auch thermisch oxidierte Proben, die keine langreichweitige Ordnung zeigen, an der Grenzfläche lokal durchaus geordnet sein können. Ein Vergleich mit Messdaten von einer Probe mit geordneter Silikatschicht zeigt, daß die lokale atomare Struktur in der Umgebung der Grenzflächenatome in beiden Proben gleich ist.