Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 39: Nanostrukturen IV

O 39.7: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 12:15–12:30, TU EB420

Stöchiometriebestimmung von III-V Halbleiternanostrukturen mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie — •Holger Eisele¹, Rainer Timm¹, Andrea Lenz¹, Oliver Flebbe¹, Ernst Lenz², Ferdinand Streicher¹ und Mario Dähne¹ — ¹Inst. F. Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Inst. f. Technische Informatik u. Mikroelektronik, Technische Universität Berlin, Einsteinufer 17, D-10587 Berlin

Verspannte III-V Halbleiternanostrukturen bauen nach dem Spalten einer Querschnittsfläche ihre Verspannungsenergie über eine Relaxation dieser Spaltfläche ab. Diese Relaxation kann sowohl lateral in der Oberfläche als auch vertikal zu ihr mit dem Rastertunnelmikroskop gemessen werden.

Über die laterale Ralaxation erhält man Informationen, die mit der durchmischungkonzentrattion der Nanostrukturen in der Querschnittsfläche korreliert sind. Aus der vertikalen Verspannungrelaxation erhält man weiterhin Aussagen über die Konzentration und Form der weiter unterhalb der Spaltfläche liegenden berteiche der Nanostrukturen. Mit hilfe numerische Verfahren kann sowohl die laterale als auch vertikale Verspannungsrelaxation zur Konzentrationsbestimmung von durchmischten III-V Halbleiternanostrukturen genutzt werde.