Dresden 2006 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: Functional thin films II

DS 9.4: Vortrag

Dienstag, 28. März 2006, 12:00–12:15, GER 37

Stöchiometrische Eigenschaften von, in Atmosphärendruckplasma abgeschiedenen, SiOx-Schichten — •Marcel Hähnel, Volker Brüser, and Holger Kersten — INP Greifswald, F.-L.-Jahn Straße 19, 17489 Greifswald

Schichten, die aus siliziumorganischen Monomeren abgeschieden wurden, können zum Beispiel als UV- und Kratzschutz, als Antireflexschichten, als hydrophobe Schichten sowie für physikalisch und chemisch stabile dielektrische Schichten dienen. Ebenso zahlreich wie die Anwendungen sind auch die Untersuchungen der Eigenschaften in Abhängigkeit von den verschiedensten Prozessparametern. Die bei den PECVD-Verfahren ablaufende Plasmachemie ist, in Abhängigkeit vom eingesetzten Monomer, kaum oder gar nicht verstanden.

Das Anliegen dieser Arbeit ist die Untersuchung solcher Schichten, die aus HMDSO als Monomer in verschiedenen Argon-Sauerstoff Gemischen abgeschieden wurden sowie der Vergleich mit den in der Literatur beschriebenen Schichteigenschaften. Die Depositionen erfolgten unter Atmosphärendruck in einer dielektrisch behinderten Oberflächenentladung. Neben der starken Abhängigkeit der Kohlenstoffkonzentration in den Schichten von der Sauerstoffkonzentration des Prozessgases, werden auch Zusammenhänge der auf Silizium normierten Kohlenstoff- und Sauerstoffkonzentrationen in den Schichten vorgestellt. Aus dem Vergleich mit der Literatur wird deutlich, dass die Schichteigenschaften (z.B. SiOx-Stöchiometrie) bei den verschieden PECVD-Verfahren gleiches Verhalten in den Kohlenstoff -zu Sauerstoffkonzentrationen zeigen.