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K: Fachverband Kurzzeitphysik

K 6: EUV - Quellen und deren Anwendungen I

K 6.2: Hauptvortrag

Donnerstag, 2. April 2009, 11:40–12:10, HS Physik

Extrem Ultraviolett Lithographie — •Klaus Bergmann — Fraunhofer Institut für Lasertechnik, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen

Lithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit extrem ultravioletter Strahlung (EUV) bei einer Wellenlänge von 13.5 nm gilt als aussichtsreicher Kandidat für die künftige Massenproduktion mit Strukturgrößen hinunter zu 11 nm. Am IMEC in Belgien und an der Universität in Albany in den USA sind seit dem Jahr 2007 α-Demotools von ASML in Betrieb. Mit diesen Geräten, die die volle Funktionalität wie spätere kommerzielle Scanner aufweisen, werden mittlerweile komplette Wafer im 24 Stunden Betrieb belichtet und voll funktionsfähige Halbleiterbauelemente mit einer Strukturgröße von 32 nm hergestellt. Aus heutiger Sicht ist die EUV-Lithographie schon für diese Strukturgrößen aufgrund geringerer Kosten im Vergleich zu Weiterentwicklungen auf Basis der konventionellen Technologie mit Excimer Lichtquellen bei 193 nm favorisiert. Bei kleineren Strukturgrößen gibt es derzeit keine Alternative zu EUV für die Massenproduktion. Voraussetzungen für den kommerziellen Einsatz sind das Erreichen einer hinreichend hohen Standzeit und hohen Waferdurchsatzes. Im Vortrag wird der Stand der Technik in den Einzelkomponenten wie Strahlquelle, Optiken, Masken und Resists vorgestellt. Als Strahlungsquelle wird in den α-Demotools ein Zinn basierter Vakuumfunken eingesetzt, auf dessen Entwicklungsstand und Entwicklungspotenzial im Besonderen eingegangen wird.