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K: Fachverband Kurzzeitphysik
K 8: EUV - Quellen und deren Anwendungen II
K 8.2: Talk
Thursday, April 2, 2009, 14:30–14:45, HS Biochemie (klein)
Leistungsskalierung einer Lichtquelle basierend auf einer Zinn-Gasentladung für die EUV-Lithographie — •Felix Küpper1, Jeroen Jonkers2, Erik Wagenaars3, Jürgen Klein1 und Willi Neff1 — 1Fraunhofer Institut für Lasertechnik, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen — 2Philips Extreme UV GmbH, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen — 3Lehrstuhl für Lasertechnik der RWTH Aachen, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen
Lithographie mit extrem-ultraviolettem Licht (EUVL) bei einer zentralen Wellenlänge von 13.5 nm soll ab dem Jahr 2011 die derzeitige Lithographie mit ArF Lasersystemen ablösen. Die Skalierbarkeit von EUV Lichtquellen hin zu den von der Industrie geforderten Leistung, ist eine grundlegende Voraussetzung für den kommerziellen Erfolg von EUVL. Philips Extreme UV hat in Kollaboration mit dem Fraunhofer Institut für Lasertechnik eine EUV Lichtquelle auf Basis einer gepulsten Zinn-Gasentladung entwickelt. Im Rahmen von grundlegenden Experimenten wird die Skalierbarkeit dieses Konzeptes zur EUV Lichterzeugung bis zu einer nutzbaren EUV-Leistung von mehr als 2000 W/(2πsr) gezeigt. Die gepulste Zinn-Gasentladung mit Spitzenstromstärken bis zu 20 kA und elektrischen Pulsenergien von mehr als 2 J wird erstmals bei einer Repetitionsrate von 40 kHz im Burst-Betrieb mit konstanter EUV Leistung betrieben. Als wesentliches Ergebnis der Untersuchungen wird ein Parameterbereich identifiziert, der durch unterschiedliche Kombinationen von elektrischer Pulsenergie und Repetitionsrate den von der Chipindustrie geforderten Wafer-Durchsatz bzw. Lichtleistung ermöglicht.