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K: Fachverband Kurzzeitphysik

K 8: EUV - Quellen und deren Anwendungen II

K 8.3: Talk

Thursday, April 2, 2009, 14:45–15:00, HS Biochemie (klein)

Analyse von Oberflächen und dünnen Schichten mittels EUV Strahlung — •Stefan Döring, Frank Barkusky, Armin Bayer, Christian Peth und Klaus Mann — Laser-Laboratorium Göttingen e.V., Göttingen, Deutschland

Der hohe Wechselwirkungsquerschnitt von EUV/XUV-Strahlung im Wellenlängenbereich 2..20nm und die damit verbundene, geringe Eindringtiefe macht sie zu einem idealen Werkzeug für die Charakterisierung von Oberflächen und dünnen Schichten. Die Dimension der verwendeten Wellenlänge ermöglicht darüberhinaus die Analyse von Nanostrukturen derselben Größenordnung wie z.B. photonische Kristalle durch Beobachtung von Beugungserscheinungen.
Am Laser-Laboratorium Göttingen wurde ein θ-2θ-Reflektometer für den EUV-Bereich realisiert, das zur Strahlungserzeugung eine lasergestütze Plasmaquelle verwendet. Das Laborgerät wird im Bereich der Metrologie zur in-band Charakterisierung von Oberflächen und oberflächennahen Strukturen eingesetzt. Durch die Kombination verschiedener Messmethoden wie Reflektometrie, Nahkantenabsorption (NEXAFS), Streulichtmessung und Diffraktometrie wird eine große Bandbreite an physikalischen, chemischen und strukturellen Parametern experimentell zugänglich gemacht und die Probe damit umfassend charakterisiert.
Im Vortrag werden erste Ergebnisse reflektometrischer Messungen sowie NEXAFS-Untersuchungen an plasmabehandelten Polymerfolien präsentiert.