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P: Fachverband Plasmaphysik
P 10: Poster: Plasmatechnologie
P 10.14: Poster
Tuesday, March 31, 2009, 17:30–19:30, Foyer des IfP
Einfluss von bipolarem Substratbiasing auf das Schichtwachstum — •Evelyn Häberle, Jochen Kopecki, Andreas Schulz, Matthias Walker und Ulrich Stroth — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart
Für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen werden mittels eines Mikrowellenplasmas isolierende und diffusionshemmende SiOx-Barriereschichten auf dünne, flexible Metallsubstrate aufgebracht. Es wird Stahl mit einer sehr rauen Oberfläche verwendet. Um dabei die Ausbildung von Defektstellen in der Barriereschicht zu verhindern, kann deren Aufwachsverhalten und Eigenschaften gezielt durch geeignetes Substratbiasing beeinflusst werden. Dazu werden die schichtbildenden Ionen durch einen an den Substrathalter angelegten negativen Spannungspuls auf diesen zubeschleunigt. Um die auf der Oberfläche der isolierenden Schicht verbleibenden Ladungen zu neutralisieren muss eine positive Spannung angelegt werden. Als Form der Biasspannung wurde zum Erreichen der größtmöglichen Effektivität des Vorgangs ein bipolarer Rechteckpuls gewählt. Es werden Ergebnisse zum Aufwachsverhalten der Schicht in Abhängigkeit der Bias- und Plasmaparameter vorgestellt. Die Form der aufgewachsenen Schicht wird anhand von Si-Wafern mit einer definiert strukturierten Oberfläche im µm-Bereich untersucht. Dabei wurde deren Bruchkante im Raster-Elektronen-Mikroskop ausgewertet. Die molekulare Zusammensetzung der Schicht wurde direkt mittels einer in-situ FTIR-Spektroskopie bestimmt. Diese Arbeit wird teilweise durch das BMBF mit dem FKZ 03SF0321C gefördert.