Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN Preparation and Characterization

HL 27.8: Vortrag

Dienstag, 23. März 2010, 15:45–16:00, H15

Analyse und Interpretation von in-situ Krümmungsmessungen beim Wachstum von AlInN/GaN-Braggreflektoren — •Christoph Berger, Pascal Moser, Armin Dadgar, Jürgen Bläsing und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Die in-situ Messung der Waferkrümmung hat sich mittlerweile zu einer wirksamen Methode entwickelt, um den Verspannungszustand und die Zusammensetzung aufgewachsener Schichten schon während des Wachstums zu bestimmen. Wir zeigen anhand von Krümmungsmessungen, welche beim Wachstum von Braggreflektoren auf der Basis von AlInN/GaN durchgeführt wurden, wie die Durchbiegung des Substrates durch verschiedene Beiträge beeinflusst wird. Zunächst wurde die anfängliche Krümmung der Substrate untersucht, wobei sich eine starke Anisotropie innerhalb der Oberfläche zeigte. Ebenso wurde die Biegung des reinen Substrats beim Erwärmen quantitativ bestimmt, welche durch einen vertikalen Temperaturgradient verursacht wird. Da-rauffolgend konnten diese Beiträge zur Krümmung aus den Messungen entfernt werden, womit nur noch die Anteile übrig blieben, die durch die Gitterfehlanpassung und die verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Schicht und Substrat zustande kommen. Die gemessenen Änderungen der Krümmung bei Temperaturänderungen werden mit berechneten Werten verglichen und es wird gezeigt, dass ein gitterangepasstes Wachstum der AlInN-Schichten erreicht wurde, wodurch keine zusätzliche Spannung in den Schichten induziert wird.