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Regensburg 2010 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN Preparation and Characterization

Tuesday, March 23, 2010, 14:00–16:15, H15

14:00 HL 27.1 Defect distributions at III-nitride interfaces from ab-initio-based thermodynamic data — •Christoph Freysoldt, Björn Lange, and Jörg Neugebauer
14:15 HL 27.2 Ab-initio based growth simulations of III-Nitride nanowires. — •Liverios Lymperakis and Jörg Neugebauer
14:30 HL 27.3 Processing and contacting of free standing nanorod arrays — •Richard Neumann, Ünsal Sökmen, Stephan Merzsch, Sönke Fündling, Shunfeng Li, Gerhard Palm, Hergo-Heinrich Wehmann und Andreas Waag
14:45 HL 27.4 Elektrische Messungen selbstorganisierter GaN Nanosäulen — •G. Kunert, C. Kruse, T. Aschenbrenner, S. Figge, D. Hommel, J. Kalden, K. Sebald und J. Gutowski
15:00 HL 27.5 Elektrische Untersuchungen an AlN/AlGaN-Strukturen für LEDs auf Si(111)K.-M. Günther, •H. Witte, A. Rohrbeck, P. Saengkaew, J. Bläsing, A. Dadgar und A. Krost
15:15 HL 27.6 Doping modulation in GaN investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopyHolger Eisele, Lena Ivanova, Svetlana Borisova, Mario Dähne, Momme Winkelnkemper, and •Philipp Ebert
15:30 HL 27.7 Röntgenographische Qualitäts- und Homogenitätsuntersuchungen an GaN Schichten auf Silizium — •Stephanie Fritze, Jürgen Bläsing, Oliver Schulz, Armin Dadgar und Alois Krost
15:45 HL 27.8 Analyse und Interpretation von in-situ Krümmungsmessungen beim Wachstum von AlInN/GaN-Braggreflektoren — •Christoph Berger, Pascal Moser, Armin Dadgar, Jürgen Bläsing und Alois Krost
16:00 HL 27.9 Effect of Mg codoping on Europium(Eu+3) implanted GaN — •Jayanta Kumar Mishra, Torsten Langer, Uwe Rossow, Kirill Trunov, Rüdiger Schott, Andreas Wieck, and Andreas Hangleiter
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