Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 36: Ge, GeSi, and Si

HL 36.9: Vortrag

Mittwoch, 24. März 2010, 11:45–12:00, H14

Electrically active dopant profiles in individual silicon nanowires — •Pratyush Das Kanungo¹, Xin Ou^1,2, Reinhard Kögler², Peter Werner¹, Ulrich Gösele¹, and Wolfgang Skorupa² — ¹Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle D-06120, Germany — ²Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany

This contribution will be presented as Poster HL 31.47.