Jena 2013 – wissenschaftliches Programm
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P: Fachverband Plasmaphysik
P 18: Poster: Plasmatechnologie
P 18.6: Poster
Donnerstag, 28. Februar 2013, 14:00–16:00, Poster EG
Abscheidung von Siliziumoxid- und Zinkoxidschichten mittels Mikrowellen-PECVD — •Stefan Merli, Andreas Schulz, Matthias Walker und Thomas Hirth — Institut für Plasmaforschung, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart
Die plasmagestützte Gasphasenabscheidung (PECVD) von transparenten dünnen Schutzschichten auf empfindlichen Materialien, wie zum Beispiel Polymeren, stellt für manche industrielle Anwendungen eine interessante Alternative zu Lackiertechniken dar. Die Vorteile sind eine sehr gute Prozesskontrolle, eine hohe Ausbeute der Ausgangsstoffe und eine geringere Anzahl an nötigen Prozessschritten.
In diesem Beitrag wird daher ein Mikrowellen-PECVD-Prozess zur Abscheidung von Siliziumoxid (SiOx) und Zinkoxid (ZnO) als Kratz- bzw. UV-Schutzschichten untersucht. Als Plasmaquelle kommt ein Array aus vier Duo-Plasmalines zum Einsatz, die mit Mikrowelle bei 2,45 GHz und 2 × 3 kW cw im Niederdruck betrieben wird. Als Ausgangsstoffe dienen Hexamethyldisiloxan (HMDSO) für die SiOx-Schichten und Diethylzink (DEZ) für die ZnO-Schichten, die jeweils zusammen mit Sauerstoff im Plasma umgesetzt werden.
Für die SiOx-Schichten konnte eine sehr hohe Abscheiderate von bis zu 1 µm/s bei guter Schichtqualität erzielt werden. Bei den ZnO-Schichten wurde eine hohe Absorption im UV-Bereich bei gleichzeitig hoher Transparenz im sichtbaren Bereich erreicht. Die Abscheidekinetik sowie die mechanischen, optischen und chemischen Eigenschaften beider Schichttypen werden bezüglich der Abscheideparameter untersucht und vorgestellt.