Berlin 2014 – wissenschaftliches Programm
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P: Fachverband Plasmaphysik
P 25: Low Temperature Plasmas III
P 25.2: Vortrag
Donnerstag, 20. März 2014, 17:00–17:15, SPA HS201
Modifikation durch Oberflächenreaktionen von O, O3 und N an wachsenden SiOxCyHz Schichten — •Katja Rügner, Rüdiger Reuter, Achim von Keudell und Jan Benedikt — Ruhr-Universität Bochum; Research Department Plasmas with Complex Interactions
Siliciumdioxid (SiO2) ist ein viel verwendetes Material. Es findet Anwendung als Dielektrikum, als Diffusionsbarriereschicht oder als Kratz- und Korrosionsschutz. Besonders attraktive für die Herstellung dünner SiO2 Schichten sind Atmosphärendruckplasmen. Hierzu werden bevorzug siliciumorganische Präkursoren verwendet, wie zum Beispiel Hexamethyldisiloxan (HMDSO, (CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3) . Ein reines He/HMDSO Plasma führt zu kohlenstoffhaltigen SiOxCyHz Schichten. Durch die Beigabe von Oxidantien erhält man kohlenstofffreie, SiO2-ähnliche Schichten. Diese Änderung der Schichtzusammensetzung findet primär an der Oberfläche statt. Ein sich drehendes Substrat bietet die Möglichkeit diese Oberflächenreaktionen zu untersuchen. Auf der einen Seite wird eine SiOxCyHz Schichten mittels eines reinen He/HMDSO Plasmas abgeschieden und auf der anderen Seite wird diese Schicht mit einem He/O2 oder He/N2 Plasma behandeln. Die Behandlung zeigt, dass die verschiedenen Spezies (O, O3, N) unterschiedliche Änderungen in der Schichtzusammensetzung hervorrufen. Die Änderungen in der Schichtzusammensetzung wurden mittels Fourier-Transform-Infrarot-Spektroskopie untersuchen.