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T: Fachverband Teilchenphysik

T 60: Halbleiter 3

T 60.3: Vortrag

Dienstag, 25. März 2014, 17:20–17:35, P101

Eigenschaften von n-in-p Silizium Sensoren in Abhängigkeit von der Streifenisolation — Alexander Dierlamm, Frank Hartmann, Yann Lauer, Thomas Müller und •Martin Printz — Institut für Experimentelle Kernphysik (EKP), KIT

R&D Studien belegen eine erhöhte Strahlenhärte von n-in-p Silizium Sensoren gegenüber der p-in-n Technologie. Unter anderem ist die Ladungssammlungseffizienz nach hohen Fluenzen, welche für das Phase II Upgrade des LHC zum HL-LHC erwartet werden, merkbar höher. Daher werden n-in-p Sensoren für das CMS Tracker Upgrade hinsichtlich Durchbruchsverhalten und Ladungssammlung optimiert. Die Isolation der Streifen hat dabei einen großen Einfluss. Sensoren mit unterschiedlichen Isolationsgeometrien wurden hergestellt, elektrisch qualifiziert und bestrahlt. Anschliessende Messungen mit einer Sr90 Quelle und Infrarotlaser wurden durchgeführt. T-CAD Simulationen mit einem effektiven Defektmodell können die Ergebnisse reproduzieren und erlauben somit eine Vorhersage von Sensoreigenschaften.

Im Vortrag werden Ladungssammlung und elektrische Eigenschaften der unterschiedlichen Sensoren gegenübergestellt und Ergebnisse mit Simulationen verglichen.