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T: Fachverband Teilchenphysik
T 90: Halbleiter 6
T 90.4: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2014, 17:35–17:50, P108
Eigenschaften dünner n-in-p Pixelsensoren mit aktiven Randzonen — Siegfried Bethke, Anna Macchiolo, Richard Nisius, •Botho Paschen und Stefano Terzo — Max-Planck-Institut für Physik, München, Deutschland
Wir stellen Forschungsaktivitäten vor, die sich auf die Entwicklung neuer hybrider Pixelmodule für die Aufrüstung des ATLAS Pixeldetektors am High Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) konzentrieren. Dabei handelt es sich um n-in-p Sensoren von 100 und 200µm Dicke mit aktiver Randzone, die von VTT (Finnland) hergestellt wurden. N-in-p Sensoren bieten den Vorteil, dass zur Produktion nur auf einer Seite strukturierende Bearbeitung notwendig ist, womit sie eine kostengünstigere Alternative zu den n-in-n Sensoren darstellen. Aktive Randzonen verringern den nicht sensitiven Bereich an den Kanten der Module auf bis zu 50 - 150µm und vergrößern damit die aktive Fläche des Detektors. Die Sensoren sind per Bump-Bonding mit ATLAS Front End (FE) Auslesechips FE-I3 und FE-I4 verbunden und wurden durch Versuche mit radioaktiven Quellen im Labor und an Teststrahlen der Europäischen Organisation für Kernforschung (CERN) und des Deutschen Elektronen-Synchrotron (DESY) charakterisiert. Resultate der Messungen von Detektoren vor und nach Bestrahlung bis zu einer Fluenz von 6·1015neqcm−2 werden diskutiert.