Aachen 2019 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 2: Halbleiterdetektoren I
T 2.5: Vortrag
Montag, 25. März 2019, 17:00–17:15, H02
Studie zur Strahlenhärte von n-in-p Siliziumstreifensensoren ohne spezifische Zwischenstreifenisolationsstruktur — Thomas Müller, Alexander Dierlamm, Marius Metzler, •Jan-Ole Gosewisch, Hans-Jürgen Simonis, Pia Steck und Felix Bögelspacher — Institut für Experimentelle Teilchenphysik, Karlsruher Institut für Technologie
Der Gebrauch von n-in-p Siliziumstreifensensoren erfordert eine spezifische Zwischenstreifenisolation. Ohne diese kommt es insbesondere nach Bestrahlung durch Oberflächenschäden zu einem Kurzschluss der Streifen und einer Verringerung der Ortsauflösung. Ein Maß für die Güte der Isolation ist der Zwischenstreifenwiderstand. Entgegen den Erwartungen, wurde bei Sensoren ohne spezifische Isolation ein ausreichend hoher Widerstand zwischen den Streifen nach Protonenbestrahlung mit einer Fluenz von 1015neq/cm2 beobachtet. Für ein genaueres Verständnis der beitragenden Effekte auf die Streifenisolation, wurden Sensoren ohne Zwischenstreifenimplantat mit Röntgenstrahlen, Protonen und Neutronen bestrahlt. In diesem Vortrag werden Messungen der Zwischenstreifenwiderstände für unterschiedlichen Bestrahlungszusammensetzungen gezeigt und bewertet.