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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 8: Charakterisierungsverfahren I

DS 8.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 15:30–15:45, H 55

Bestimmung elektrisch wirksamer Defekte in dünnen SiO2- und SiOxNy- Schichten — •Reinhard Beyer1, Hubert Burghardt2, Eberhard Thomas1, Rene Reich2, Thomas Geßner2 und Dietrich R.T. Zahn11Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz — 2Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik, Professur für Mikrotechnologie, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz

SiO2- und SiOxNy- Schichten mit Dicken zwischen 6 und 9 nm wurden auf (100) orientiertem n-Si mittels Rapid Thermal Processing in O2- und N2O- Atmosphäre bei 1000oC, 1100oC und 1150oC gewachsen. Es wurden MIS-Kondensatoren mit Polysilicium-Gates hergestellt. Aus der zeitabhängigen Spannungsverschiebung bei Fowler- Nordheim-Ladungsinjektion mit verschiedenen Stromdichten wurden wirksame Isolatortrapkonzentrationen und deren Einfangquerschnitte bestimmt. Während für SiO2 der Einbau negativer Ladungen dominiert, überwiegt bei den Oxynitridschichten das Elektronendetrapping. Die U(t)-Kennlinien wurden im Bereich von 80 - 500 K gemessen. Die Ergebnisse werden korreliert mit Zustandsdichteverteilungen, die aus trapbedingten Verschiebungen der temperaturabhängigen I-U-Kennlinien ermittelt werden. Der entsprechende Algorithmus wird vorgestellt. Zur Untersuchung von Grenzflächenzuständen wurden CV- und DLTS- Untersuchungen durchgeführt.

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